STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031771042
- Артикул
- STH200N10WF7-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- STH200
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 671,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном силовом МОП-транзисторе STMicroelectronics используется теxнология STripFET F7 с усовершенствованной конструкцией желобчатого затвора, повышающая устойчивость к линейному режиму и обеспечивающая более широкий SOA в сочетании с очень низким сопротивлением при включении.
Технические параметры
| Series | STH200 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H2PAK-2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |