STH170N8F7-2, MOSFETs N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060856957
- Артикул
- STH170N8F7-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- STripFET F7
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STH170N8F7-2
- Product:
- Power MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| Type: | STripFET F7 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STH170N8F7-2 |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time: | 37 ns |
| Rise Time: | 53 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 3.96 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | H2PAK-2 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |