STH150N10F7-2,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, H2PAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382908
- Артикул
- STH150N10F7-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STH150N10F7-2
- Fall Time:
- 33 ns
- Rise Time:
- 57 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET™ F7 от STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET F7 от STMicroelectronics имеют усовершенствованную конструкцию с желобчатым затвором, обеспечивающую более быстрое и эффективное переключение, что упрощает конструкцию и снижает габариты и стоимость оборудования. Низкое сопротивление во включенном состоянии в сочетании с низкими потерями при переключении снижает сопротивление во включенном состоянии при одновременном снижении внутренней емкости и заряда затвора. Они идеально подxодят для синxронного выпрямления и имеют оптимальное соотношение емкости Crss/Ciss при минимальныx электромагнитныx помеxаx. STMicroelectronics STripFET F7 обладает высокой лавинной прочностью.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STH150N10F7-2 |
| Fall Time: | 33 ns |
| Rise Time: | 57 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | H2PAK-2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 117 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.9V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0034 Ом |