Моя заявка (0)

STH145N8F7-2AG, Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101

STH145N8F7-2AG, Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002225206
Артикул
STH145N8F7-2AG
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 80V 90A Автомобильный AEC-Q101 3-контактный (2+Tab) H2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.17(Max)
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageH2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySTripFET
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)44
Typical Rise Time (ns)51
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)200000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)96
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)96@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)26
Maximum Drain-Source Voltage (V)80
Typical Turn-Off Delay Time (ns)82
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)90
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6340@40V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)4@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация