N-Channel MOSFET, 7 A, 1200 V Tape and Reel STH12N120K5-2AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030978971
- Артикул
- STH12N120K5-2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 273,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием теxнологии MDmesh K5, основанной на инновационной запатентованной вертикальной структуре.
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Tape and Reel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | H2PAK-2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |