STB37N60 SiC N-Channel MOSFET, 12 A, 1200 V, 3-Pin H2PAK-2 STH12N120K5-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019804401
- Артикул
- STH12N120K5-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Series
- STB37N60
Цена по запросу
(от 3 141,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные N-канальные силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics разработаны с использованием теxнологии MDmesh™ K5, основанной на инновационной запатентованной вертикальной структуре.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Series | STB37N60 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H2PAK-2 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 9.17(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | H2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | MDmesh K5 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 18.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 11 |
| Особенности | высоковольтный |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.69 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 23 |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68.5 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1370@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 690@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.9V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |