Моя заявка (0)

STH10N80K5-2AG, 800V 8A 680m @10V 121W 5V@100uA 1 N-Channel H2PAK-2 Single FETs, MOSFETs RoHS

STH10N80K5-2AG, 800V 8A 680m @10V 121W 5V@100uA 1 N-Channel H2PAK-2 Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051529586
Артикул
STH10N80K5-2AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
14 ns
Rise Time:
11 ns
Tradename:
MDmesh
Цена по запросу
(от 435,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:14 ns
Rise Time:11 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г1.82
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:H2PAK-2
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:121 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:680 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000