Моя заявка (0)
STGY40NC60VD, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000378221
Артикул
STGY40NC60VD
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STGY40NC60VD
Packaging:
Tube
Tradename:
PowerMESH
Цена по запросу
(от 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный IGBT-чип N-CH 600V 80A 260000 МВт, 3-контактный (3 + вкладки), трубка Max247

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STGY40NC60VD
Packaging:Tube
Tradename:PowerMESH
Вес, г5
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:Max247-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:260 W
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Continuous Collector Current Ic Max:80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600

Техническая документация