STGWT80H65DFB, TO-3P-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062556847
- Артикул
- STGWT80H65DFB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGWT80H65DFB
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 803 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGWT80H65DFB |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 5.19 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3P |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3P |
| Switching Speed | 1MHz |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 469 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 469 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |