Моя заявка (0)
STGWT80H65DFB, IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828660
Артикул
STGWT80H65DFB
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STGWT80H65DFB
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STGWT80H65DFB
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г5.6
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTO-3P
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-3P
Switching Speed1MHz
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:469 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation469 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:80 A
Maximum Continuous Collector Current120 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C:120 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:300

Техническая документация