STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002185638
- Артикул
- STGWT60H65FB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия
- STGWT60H65FB
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 80 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | STGWT60H65FB |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-3P |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| Размер фабричной упаковки | 300 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |