Моя заявка (0)
STGWT60H65DFB, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003812499
Артикул
STGWT60H65DFB
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tube
IGBT Type
Trench Field Stop
Цена по запросу
(от 662 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTube
IGBT TypeTrench Field Stop
Input TypeStandard
Вес, г2
Gate Charge306nC
Power - Max375W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Test Condition400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy1.09mJ (on), 626ВµJ (off)
Power Dissipation375Вт
Base Product NumberSTGWT60 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Td (on/off) @ 25В°C51ns/160ns
Supplier Device PackageTO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Continuous Collector Current80А
Collector Emitter Voltage Max650В
Current - Collector (Ic) (Max)80A
Current - Collector Pulsed (Icm)240A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Линейка Продукции650V HB
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage1.6В
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Стиль Корпуса ТранзистораTO-3P
Максимальная Рабочая Температура175°C

Техническая документация