STGWT40HP65FB, Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881864
- Артикул
- STGWT40HP65FB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO3P
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGWT40HP65FB
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 722 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGWT40HP65FB |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.42 |
| Gate charge | 0.21µC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3P-3 |
| Collector current | 40A |
| Power Dissipation | 283Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Pulsed collector current | 160A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Линейка Продукции | HB |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |