STGWT20H65FB, Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050002822
- Артикул
- STGWT20H65FB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGWT20H65FB
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGWT20H65FB |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3P |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 168 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |