STGWA50IH65DF TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075234153
- Артикул
- STGWA50IH65DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- HB2
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | HB2 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Continuous Collector Current | 100А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Линейка Продукции | IH |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |