STGWA50HP65FB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673228
- Артикул
- STGWA50HP65FB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-247
Цена по запросу
(от 326,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-транзисторы STMicroelectronics серии HB2 напряжением 650 В представляют собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции trench gate field-stop.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Power Dissipation | 272Вт |
| Number of Transistors | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 272 W |
| Continuous Collector Current | 86А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Maximum Continuous Collector Current | 86 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |