STGWA40HP65FB2, IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000899420
- Артикул
- STGWA40HP65FB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- HB2
- Series:
- STGWA40HP65FB2
- IGBT Type
- Trench Field Stop
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | HB2 |
| Series: | STGWA40HP65FB2 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6.18 |
| Gate Charge | 153nC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 227W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Test Condition | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Switching Energy | 410ВµJ(off) |
| Power Dissipation | 227Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Td (on/off) @ 25В°C | -/125ns |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
| Continuous Collector Current | 72А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 72A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 72 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 72 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |