STGWA30HP65FB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828637
- Артикул
- STGWA30HP65FB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
Цена по запросу
(от 260,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 От STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 long leads |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 50 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |