STGWA30H65DFB2, Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062374446
- Артикул
- STGWA30H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3
- Package Type
- TO-247
- Power Dissipation
- 167Вт
Цена по запросу
(от 408 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия STMicroelectronics IGBT 650 В HB2 представляет собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции полевого затвора trench gate-stop.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| Package Type | TO-247 |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |