STGWA25M120DF3, Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025869432
- Артикул
- STGWA25M120DF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6.14
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные затворы серии M 1200V с полевым ограничителем IGBTs STMicroelectronics M Trench Gate с полевым ограничителем IGBTs разработаны с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции полевого ограничителя trench gate. Эти устройства представляют собой оптимальный компромисс в производительности, позволяющий максимально повысить эффективность инверторныx систем, где важны низкие потери и возможность короткого замыкания. Положительный температурный коэффициент VCE (sat) и точное распределение параметров также обеспечивают более безопасную параллельную работу. Типичные области применения этиx устройств включают промышленные приводы, ИБП, солнечную энергию и сварку.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |