STGWA20H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828629
- Артикул
- STGWA20H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 6.1
- Упаковка
- Tube
- Power Dissipation
- 147Вт
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 263,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
| Вес, г | 6.1 |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 147Вт |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Pd - рассеивание мощности | 147 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |