Моя заявка (0)

STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

STGWA100H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032630429
Артикул
STGWA100H65DFB2
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
5.5
Power Dissipation
441Вт
Continuous Collector Current
145А
Collector Emitter Voltage Max
650В
Цена по запросу
(от 900 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г5.5
Power Dissipation441Вт
Continuous Collector Current145А
Collector Emitter Voltage Max650В
Линейка ПродукцииHB2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Collector Emitter Saturation Voltage1.55В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура175 C

Техническая документация