STGW80V60DF, TO-247 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015777705
- Артикул
- STGW80V60DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- FS(Field Stop)
- Mounting
- Through Hole
- Packaging
- Rail/Tube
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.43 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 120(A) |
| Collector Current (Ic) | 120A |
| Power Dissipation (Pd) | 469W |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Maximum Power Dissipation | 469 W |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 60ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.8mJ |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 448nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 220ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1mJ |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 60ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.3V@15V, 80A |