Моя заявка (0)
STGW75M65DF2, IGBT транзистор TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056754845
Артикул
STGW75M65DF2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 454,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Траншейные ворота серии STM 650V M с полевым ограничителем IGBT Серии STMicroelectronics 650V M с полевым ограничителем IGBT разработаны с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции полевого ограничителя для траншейныx ворот. Серия STMicroelectronics 650V M обеспечивает максимальный ток коллектора от 3 А до 150 А для приложений с рабочей частотой до 100 кГц. IGBT имеют оптимизированную конструкцию и выпускаются со встроенным антипараллельным диодом, изготовленным по индивидуальному заказу. Положительный температурный коэффициент VCE (sat) и точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
IGBT TypeTrench Field Stop
Input TypeStandard
Packaging:Tube
Вес, г7.4
Gate Charge225 nC
Power - Max468 W
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-3
Test Condition400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Mounting Style:Through Hole
Switching Energy690µJ(on), 2.54mJ(off)
Product Category:IGBTs
Td (on/off) @ 25°C47ns/125ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:600
Pd - Power Dissipation:468 W
Supplier Device PackageTO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr)165 ns
Gate-Emitter Leakage Current:+/-250 uA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Current - Collector Pulsed (Icm)225 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:120 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C:120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V

Техническая документация