STGW75H65DFB2-4, Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024822482
- Артикул
- STGW75H65DFB2-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247-4
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 6.17
Цена по запросу
(от 1 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 6.17 |
| Gate charge | 207nC |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Collector current | 71A |
| Power dissipation | 357W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Number of Transistors | 1 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pulsed collector current | 225A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A |
| Размер фабричной упаковки | 600 |