STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014539689
- Артикул
- STGW75H65DFB2-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247-4
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 660 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия STMicroelectronics IGBT 650 В HB2 представляет собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции полевого затвора trench gate-stop.
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 207nC |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Collector current | 71A |
| Power dissipation | 357W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Number of Transistors | 1 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pulsed collector current | 225A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A |
| Размер фабричной упаковки | 600 |