STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
![STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](https://static.epl-electro.ru/lib/307/DOC005307886.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000295099
- Артикул
- STGW60V60DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247
- Технология/семейство
- Trench and Fieldstop
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+175
Цена по запросу
(от 469 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247 |
| Технология/семейство | Trench and Fieldstop |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 208 |