STGW60H65DFB, Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029431972
- Артикул
- STGW60H65DFB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- Case
- TO247-3
- PPAP
- No
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | TO247-3 |
| PPAP | No |
| Brand: | STMicroelectronics |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STGW60H65DFB |
| Mounting | THT |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4.43 |
| Gate charge | 306nC |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Supplier Package | TO-247 |
| Collector current | 60A |
| Power dissipation | 375W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Standard Package Name | TO |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Pulsed collector current | 240A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 375 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 80 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.65 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/150 |