Моя заявка (0)
STGW40H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002184662
Артикул
STGW40H65FB
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STGW40H65FB
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STGW40H65FB
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:283 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation283 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:40 A
Maximum Continuous Collector Current80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600

Техническая документация