STGW40H65DFB, 283W -55-~+175-@(Tj) 80A 650V Trench Field Stop 160A 0.363mJ 0.498mJ TO-247-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037170754
- Артикул
- STGW40H65DFB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247-3
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6.852 |
| Gate charge | 0.21µC |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Collector current | 40A |
| Power dissipation | 283W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Pulsed collector current | 160A |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 283 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |