STGW40H120F2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062588204
- Артикул
- STGW40H120F2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.15
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 468 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |