Моя заявка (0)

STGW40H120F2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed, Транзистор

STGW40H120F2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062588204
Артикул
STGW40H120F2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Packaging:
Tube
Вес, г
7.15
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 689 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Packaging:Tube
Вес, г7.15
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-247-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:600
Pd - Power Dissipation:468 W
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max:80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A

Техническая документация