STGW39NC60VD, IGBTs N-CHANNEL MFT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004583841
- Артикул
- STGW39NC60VD
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ STGW39NC60VD от компании STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный IGBT-транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Он характеризуется максимальным током коллектора в 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, что позволяет использовать его в мощных схемах. Мощность устройства достигает 250 Вт, что обеспечивает надежность и долговечность при эксплуатации в широком диапазоне температур. Корпус TO247 обеспечивает удобство монтажа и хороший теплоотвод. Данный транзистор идеально подходит для использования в источниках питания, преобразователях частоты и других промышленных применениях. Получите надежный и эффективный компонент для вашей электронной аппаратуры с моделью STGW39NC60VD. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 80 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 250 Корпус TO247
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 5.15 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 20.15 mm |
| Length | 15.75 mm |
| Series | 600-650V IGBTs |
| Series: | STGW39NC60VD |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Вес, г | 38 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | TO-247 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Continuous Collector Current | 70 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Continuous Collector Current: | 70 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V/1.7 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 178 |