Моя заявка (0)
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT (TO2473)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8036377873
Артикул
STGW30NC60WD
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
5.15 mm
Height
20.15 mm
Цена по запросу
(от 840 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор БТИЗ STGW30NC60WD от производителя STMicroelectronics — высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного управления мощной нагрузкой. Продукт имеет монтаж THT, обеспечивающий надежное соединение с печатной платой. С током коллектора в 60 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор способен выдержать мощность до 200 Вт. Компактный корпус TO247 удобен для монтажа и эксплуатации в различных электронных устройствах. Модель STGW30NC60WD характеризуется высокой эффективностью и долговечностью, что делает её идеальным выбором для промышленных и бытовых применений, требующих надежного управления мощными электрическими процессами. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 60 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 200 Корпус TO247

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width5.15 mm
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Series600-650V IGBTs
PackagingTube
TechnologySi
Вес, г1
ManufacturerSTMicroelectronics
КорпусTO-247
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Product CategoryIGBT Transistors
Factory Pack Quantity600
Pd - Power Dissipation200 W
Continuous Collector Current30 A
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage+/-20 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Continuous Collector Current Ic Max60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage2.1 V
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Наличие встроенного диодаДа
Максимальный ток КЭ при 25°C, A60
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Импульсный ток коллектора (Icm), А150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс29.5
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс118

Техническая документация