STGW30NC60VD, Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051399709
- Артикул
- STGW30NC60VD
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 3
- Длина
- 16.03 mm
- Серия
- STGW30NC60VD
- Высота
- 21.09 mm
Цена по запросу
(от 603 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Длина | 16.03 mm |
| Серия | STGW30NC60VD |
| Высота | 21.09 mm |
| Ширина | 5.16 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Непрерывный коллекторный ток | 80 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |