STGW25M120DF3, Транзистор БТИЗ, 1.2KВ 50A TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062882902
- Артикул
- STGW25M120DF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- M
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 1.2KВ 50A TO-247 Tube Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | M |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 326 W |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |