STGW25H120F2, Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062261511
- Артикул
- STGW25H120F2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGW25H120F2
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT с траншейным затвором серии 1200 В H с полевым отключением IGBT с траншейным затвором серии 1200 В H от STMicroelectronics представляют собой оптимальный компромисс между потерями на проводимость и коммутацию для максимального повышения эффективности любого преобразователя частоты. Благодаря усовершенствованной высокоскоростной теxнологии ST, эти IGBT имеют минимальное время выдержки короткого замыкания в 5 мкс при Tj = 150°C, минимальный ток отключения коллектора и очень низкое напряжение насыщения (В CE (sat)) - до 2,1 В (типичное) для сведите к минимуму потери энергии при переключении и включении. Кроме того, слегка положительный температурный коэффициент V CE (sat) и очень плотное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGW25H120F2 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |