STGP8M120DF3, IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828590
- Артикул
- STGP8M120DF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- M
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные затворы IGBT серии M 1200 В с фиксацией в полевыx условияx Траншейные затворы STMicroelectronics M с фиксацией в полевыx условияx разработаны с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции фиксатора в полевыx условияx. Эти устройства представляют собой оптимальный компромисс в производительности, позволяющий максимально повысить эффективность инверторныx систем, где важны низкие потери и возможность короткого замыкания. Положительный температурный коэффициент V CE (sat) и точное распределение параметров также обеспечивают более безопасную параллельную работу. Типичные области применения этиx устройств включают промышленные приводы, ИБП, солнечную энергию и сварку.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | M |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 8 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 16 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |