Моя заявка (0)
STGP3HF60HD, IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-220, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003293262
Артикул
STGP3HF60HD
Бренд
STMicroelectronics
Input Type
Standard
Вес, г
1.9
Серия
STGP3HF60HD
Gate Charge
12 nC
Цена по запросу
(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Технические параметры

Input TypeStandard
Вес, г1.9
СерияSTGP3HF60HD
Gate Charge12 nC
Power - Max38 W
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Test Condition400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy19µJ(on), 12µJ(off)
Power Dissipation38Вт
Td (on/off) @ 25°C11ns/60ns
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Collector Current (Ic)7.5A
Power Dissipation (Pd)38W
Supplier Device PackageTO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.95V @ 15V, 1.5A
Тип продуктаIGBT Transistors
ПодкатегорияIGBTs
Reverse Recovery Time (trr)85 ns
Turn?on Delay Time (Td(on))11ns
Торговая маркаSTMicroelectronics
Continuous Collector Current7.5А
Turn?on Switching Loss (Eon)0.019mJ
Collector Emitter Voltage Max600В
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)12nC
Turn?off Delay Time (Td(off))60ns
Current - Collector (Ic) (Max)7.5 A
Turn?off Switching Loss (Eoff)0.012mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)18 A
Diode Reverse Recovery Time (Trr)85ns
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage2.45В
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)600V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)2.95V@15V, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация