STGP30H60DFB, IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004583835
- Артикул
- STGP30H60DFB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGP30H60DFB
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 259,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные ворота HB Field-Stop IGBT В траншейныx воротаx HB Field-Stop IGBT от STMicroelectronics используется усовершенствованная запатентованная конструкция траншейныx ворот и полевого затвора. Эти высокочастотные устройства представляют собой компромисс между проводимостью и коммутационными потерями для максимального повышения эффективности преобразователя частоты. Слегка положительный температурный коэффициент V CE (sat) и очень плотное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGP30H60DFB |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |