Моя заявка (0)
STGP30H60DF, Транзистор БТИЗ, 600В 60A 260Вт TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046507598
Артикул
STGP30H60DF
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STGP30H60DF
Packaging:
Tube
Вес, г
1.9
Цена по запросу
(от 382,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STGP30H60DF
Packaging:Tube
Вес, г1.9
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:260 W
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.4 V
Continuous Collector Current at 25 C:60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация