STGP10H60DF, IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828569
- Артикул
- STGP10H60DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGP10H60DF
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 188,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGP10H60DF |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Continuous Collector Current | 20А |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Линейка Продукции | H |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 10 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |