Моя заявка (0)

STGHU30M65DF2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

STGHU30M65DF2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048818113
Артикул
STGHU30M65DF2AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Pin Count
7
Вес, г
7
Package Type
HU3PAK
Цена по запросу
(от 545 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Это устройство STMicroelectronics на базе IGBT, разработанное с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции trench gate fieldstop. Устройство относится к IGBT серии M, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны низкие потери и защита от короткого замыкания. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE (sat) и точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.

Технические параметры

BrandSTMicroelectronics
Pin Count7
Вес, г7
Package TypeHU3PAK
ConfigurationDual Gate
Mounting TypeSurface Mount
Number of Transistors1
Maximum Power Dissipation441 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current84 A

Техническая документация

STGHU30M65DF2AG STMicroelectronics: купить, цена от 545 ₽ | ЭПЛ