Моя заявка (0)
STGF14NC60KD, Транзистор БТИЗ, 600В, 7А, 28Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031795429
Артикул
STGF14NC60KD
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
4.6 mm
Brand:
STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор БТИЗ, 600В, 7А, 28Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width4.6 mm
Brand:STMicroelectronics
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Series600-650V IGBTs
Series:STGF14NC60KD
PackagingTube
Packaging:Tube
TechnologySi
Вес, г1.71
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:IGBTs
КорпусTO-220FP
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3 FP
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 FP
Mounting Style:Through Hole
Product CategoryIGBT Transistors
Product Category:IGBT Transistors
Factory Pack Quantity1000
Pd - Power Dissipation:28 W
Continuous Collector Current7 A
Gate-Emitter Leakage Current150 uA
Maximum Gate Emitter Voltage+/-20 V
Continuous Collector Current:7 A
Gate-Emitter Leakage Current:150 uA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Continuous Collector Current Ic Max11 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage2 V
Continuous Collector Current Ic Max:11 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:2 V
Continuous Collector Current at 25 C:11 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Наличие встроенного диодаДа
Максимальный ток КЭ при 25°C, A11
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Импульсный ток коллектора (Icm), А50
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт28
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс22.5
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс116

Техническая документация