Моя заявка (0)
STGF10NC60KD, Транзистор БТИЗ, 600В 9A TO-220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8042956167
Артикул
STGF10NC60KD
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г3.06
Длина10.4 mm
СерияSTGF10NC60KD
PCB changed3
Part StatusActive
Channel TypeN
Package TypeTO-220FP
Высота9.3 mm
Ширина4.6 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Switching Speed1MHz
Supplier PackageTO-220FP
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Standard Package NameTO
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаIGBT Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation25 W
Supplier Temperature GradeIndustrial
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3 FP
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)25
Maximum Gate Emitter Voltage (V)±20
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Continuous Collector Current9 A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)600
Maximum Continuous Collector Current (A)9
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)0.1
Pd - рассеивание мощности25 W
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)2.2
Размер фабричной упаковки1000
Непрерывный коллекторный ток6 A
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.9 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V

Техническая документация