STGF10NC60KD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001175819
- Артикул
- STGF10NC60KD
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 140 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 600V 9A 25 Вт с 3-контактным разъемом (3 + Tab) для трубки TO-220FP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STGF10NC60KD |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Высота | 9.3 mm |
| Корпус | TO-220FP |
| Ширина | 4.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Switching Speed | 1MHz |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 FP |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 9 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 9 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.2 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 9 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 9 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 25 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 |