STGF10NB60SD, Транзистор: IGBT, 600В, 23А, 25Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003346450
- Артикул
- STGF10NB60SD
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGF10NB60SD
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGF10NB60SD |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1.71 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | IGBTs |
| Energy Rating | 8mJ |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 FP |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Gate Capacitance | 610pF |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Continuous Collector Current: | 10 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 23 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |