Моя заявка (0)
STGF10M65DF2, Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049819094
Артикул
STGF10M65DF2
Бренд
STMicroelectronics
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Вес, г
2
Gate Charge
28 nC
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Ограничитель траншейного поля IGBT 650 В 20 А 30 Вт со сквозным отверстием TO-220FP

Технические параметры

IGBT TypeTrench Field Stop
Input TypeStandard
Вес, г2
Gate Charge28 nC
Power - Max30 W
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Test Condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy120µJ(on), 270µJ(off)
Td (on/off) @ 25°C19ns/91ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Supplier Device PackageTO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V

Техническая документация