STGF10H60DF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002199012
- Артикул
- STGF10H60DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия:
- STGF10H60DF
- Упаковка:
- Tube
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия: | STGF10H60DF |
| Упаковка: | Tube |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Тип продукта: | IGBT Transistors |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 FP |
| Pd - рассеивание мощности: | 30 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 250 nA |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 10 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 20 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.5 V |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1000 |