Моя заявка (0)
STGD7NC60HT4, IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000863174
Артикул
STGD7NC60HT4
Бренд
STMicroelectronics
Package
3DPAK
Mounting
Surface Mount
Rad Hard
No
Packaging
Tape & Reel
Цена по запросу
(от 403 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp

Технические параметры

Package3DPAK
MountingSurface Mount
Rad HardNo
PackagingTape & Reel
Вес, г0.426
Длина6.6 mm
СерияSTGD7NC60HT4
Channel TypeN
Высота2.4 mm
Ширина6.2 mm
ConfigurationSingle
Power Dissipation70Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current25А
Maximum Gate Emitter Voltage?20 V
Collector Emitter Voltage Max600В
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Линейка ПродукцииPowerMESH
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage1.85В
Maximum Continuous Collector Current25 A
Pd - рассеивание мощности70 W
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Непрерывный коллекторный ток14 A
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.25 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C25 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация