STGD4M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066271557
- Артикул
- STGD4M65DF2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGD4M65DF2
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные затворы серии STM 650V M с фиксацией в полевыx условияx Траншейные затворы серии STMicroelectronics 650V M с фиксацией в полевыx условияx разработаны с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции фиксатора в полевыx условияx. Серия STMicroelectronics 650V M обеспечивает максимальный ток коллектора от 3 А до 150 А для приложений с рабочей частотой до 100 кГц. IGBT имеют оптимизированную конструкцию и выпускаются со встроенным антипараллельным диодом, изготовленным по индивидуальному заказу. Положительный температурный коэффициент V CE (sat) и точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGD4M65DF2 |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 uA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 8 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 8 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |